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不同结构的晶体管

在这个晶体管教程中，我们将学习不同配置的晶体管。由于双极结晶体管是一个三端器件，有三种不同的配置晶体管可能与bjt。了解这些不同的晶体管配置将有助于您更好地实现应用程序。

简介

我们知道晶体管一般有三个端子-发射极(E)，基极(B)和集电极。但是在电路的连接中，我们需要四个端子，两个端子是输入，另外两个端子是输出。为了克服这些问题，我们将输入和输出操作共用一个终端。

我们利用这个特性来构造电路，这些结构被称为晶体管配置。一般有三种不同的晶体管配置，它们是共基极(CB)配置，共集电极(CC)配置和共发射极(CE)配置。

这三种不同配置的晶体管的增益特性如下所示。

  • CB配置:无电流增益，只有电压增益
  • 公共采集器(CC)配置:电流增益，无电压增益
  • Common Emitter (CE)配置:电流增益和电压增益

下面我们将讨论这三种不同配置的晶体管及其输入和输出特性。

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常见的基本配置

1.通用基础符号和连接

在这种配置中，我们使用基作为输入和输出信号的公共终端。配置名本身表示普通终端。这里输入施加于基极和发射极端子之间，并在基极接地的基极和集电极端子之间获取相应的输出信号。这里输入参数是V海尔哥哥和我E输出参数为VCB和我C．流入发射极端的输入电流必须高于基极电流和集电极电流才能使晶体管工作，因此输出集电极电流小于输入发射极电流。

对于这种类型的配置，电流增益通常等于或小于单位。在这种配置中，输入和输出信号是同步的。这种类型的放大电路配置被称为非反相放大电路。这种结构电路的构造是困难的，因为这种类型具有高的电压增益值。

这种配置的输入特性看起来像照明光电二极管的特性，而输出特性代表一个正向偏置二极管。这种晶体管配置具有高输出阻抗和低输入阻抗。这种配置具有高的电阻增益，即输出电阻与输入电阻的比值高。这种电路配置的电压增益如下所示。

一个V= V出/ V在=(我C* Rl) /(我E* R在）

共基配置的电流增益为

α =输出电流/输入电流

α=我C/我E

共基电路由于频率响应高，主要用于麦克风前置放大器或射频放大器等单级放大电路中。通用基极晶体管电路如下所示。

2.共基极晶体管电路

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输入特征

在输出电压恒定的情况下，得到输入电流与输入电压之间的输入特性。首先保持输出电压VCB恒定和改变输入电压V海尔哥哥对于不同的点，则在每个点记录输入电流IE价值。在不同的输出电压水平上重复相同的过程。现在有了这些值，我们需要画出I之间的图E和V海尔哥哥参数。下图显示了共基配置的输入特性。计算输入电阻R的公式在值如下所示。

R在= V海尔哥哥/我E(当VCB是常数)

3.共基配置的输入特性

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输出特性

在输入电流恒定的情况下，得到共基结构的输出电流与输出电压之间的输出特性。首先保持发射极电流恒定，改变VCB值，现在记录IC每个点的值。在不同的I点重复相同的过程E值。最后我们需要画出V之间的曲线CB和我C在不变的我E。下图为共基配置的输出特性。计算输出电阻值的公式如下。

R出= VCB/我C(当我E是常数)

4.输出特性共基配置

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常见的收集器配置

5.常用收集器符号和连接

在这种配置中，我们使用集电极端子作为共同的输入和输出信号。这种配置也称为发射极跟随配置，因为发射极电压跟随基电压。此配置主要用作缓冲区。这些结构由于其高输入阻抗而广泛应用于阻抗匹配应用中。

在这种配置中，输入信号应用于基极-集电极区域之间，输出来自发射端-集电极区域。这里输入参数是VBC和IB，输出参数是VEC和IE。共集电极配置具有高输入阻抗和低输出阻抗。输入和输出信号相位相同。这里发射极电流也等于集电极电流和基极电流之和。现在让我们计算这个配置的电流增益。

电流增益,

一个我=输出电流/输入电流

一个我=我E/我B

一个我=(我C+我B) /我B

一个我=(我C/我B) + 1

一个我= β + 1

6.共集电极晶体管电路

共集电极晶体管电路如上所示。这种常见的集电极配置是一个非反相放大器电路。这个电路的电压增益小于1，但它有很大的电流增益，因为这个电路中的负载电阻同时接收集电极电流和基极电流。

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输入特征

7.共集电极配置输入特性

公共集电极配置的输入特性与公共基极和公共发射极配置有很大的不同，因为输入电压V公元前很大程度上是由V电子商务的水平。在这里,

V电子商务= V海尔哥哥+ V公元前

V海尔哥哥= V电子商务- - - - - - V公元前

共集电极结构的输入特性在输入电流I之间得到B和输入电压VCB在恒定输出电压V电子商务．保持输出电压V电子商务恒定，并改变输入电压V公元前为不同的点，并记录IB每个点的值。现在用这些值我们需要在V的参数之间画一个图公元前和我B在恒定V电子商务．

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输出特性

共集电极电路的工作原理与共发射极电路相同。公共集电极电路的输出特性在输出电压V之间得到电子商务和输出电流IE在恒定的输入电流IB．在公共集电极电路的运行中，如果基电流为零，则发射极电流也为零。因此，没有电流流过晶体管

如果基极电流增大，则晶体管工作在有源区，最终达到饱和区。为了画这个图，我们先保留IB我们改变V的值电子商务值，现在我们需要记录I的值E对于每一个点。对不同的I重复相同的过程B值。现在用这些值我们需要画出I的参数之间的图E和VCEI的值不变B．下图是普通集电极的输出特性。

8.共集电极配置的输出特性

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共发射极配置

在这种配置中，我们使用发射器作为输入和输出的公共终端。这种常见的发射极配置是一个反相放大器电路。在这里，输入应用于基极-发射极区域之间，输出在集电极-发射极之间。在这个配置中，输入参数为V是和我B输出参数为VCE和我C．

这种类型的配置主要用于晶体管放大器的应用。在这种结构中，发射极电流等于小的基极电流和大的集电极电流之和。也就是说,我E=我C+我B．我们知道，在共基极配置中，集电极电流和发射极电流的比值给出了电流增益alpha，类似地，在共发射极配置中，集电极电流和基极电流的比值给出了电流增益beta。

9.共同发射极符号和连接

现在让我们看看这两个当前收益之间的关系。

电流增益(α) = IC/我E

电流增益(β) = IC/我B

集电极电流我C我=αE我=βB

这个配置在三种配置中使用最多。它具有中等的输入和输出阻抗值。它还具有中等的电流增益和电压增益。但是输出信号的相移为1800，即输入和输出都是相反的。

10.共发射极晶体管电路

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输入特征

在输入电流I之间得到共发射极结构的输入特性B和输入电压V是输出电压V恒定CE．保持输出电压VCE恒定和改变输入电压V是对于不同的点，现在记录每个点的输入电流值。现在用这些值，我们需要在I的值之间画一个图B和V是在恒定VCE．计算输入电阻R的公式在下面给出。

R在= V是/我B(当VCE在恒定)

11.共发射极配置的输入特性

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输出特性

在输出电流I之间得到共发射极结构的输出特性C和输出电压VCE输入电流I恒定B．保持基极电流为IB恒定和改变输出电压V的值CE对于不同的点，现在记下收集者I的价值C对于每一个点。画出参数I之间的图形C和VCE从而得到共发射极配置的输出特性。从这个图计算输出电阻的公式如下所示。

R出= VCE/我C(当我B在恒定)

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晶体管的结构

晶体管配置汇总表

上面给出了在三种配置下晶体管的主要特性的表格。BJT晶体管主要有三种配置。它们是共发射极、共基极和共集电极配置。在这三种配置中，共同发射器配置是最常用的类型。这三种方法对输入信号和输出信号都有不同的特性。而且这三种构型几乎没有相似之处。

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33的反应

  1. 我读了这个话题，感觉好多了，但是输入输出特性的解释是对损失的解释

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  5. 你能解释一下当Vbe作为输入电压时为什么用Vin吗?Vbe and Vcb are the input and output voltages..Then why the output is being taken across a resistor?

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    1. 我们使用电阻，这也被称为负载电阻，没有负载电阻，我们不能测量或指示发射极电流，因为当我们说电流必须有负载，否则将没有电流，输入电压Vin写只是为了理解的目的，我们也可以写Veb

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  6. 你能解释一下当Vbe存在时用Vin作为输入电压的原因吗?为什么需要通过一个电阻来获取输出?这个问题是关于共基组态电路的。

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  13. 读到这里我感觉好多了。它给了我很多信息。我有一个疑问，什么是非反相放大器电路??

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